集微网消息（文/思坦），北京时间7月15日，2021年GSA全球存储峰会 (+ ) 在线上举行，旺宏电子首席科学家王克中发表了题为《在闪存的发展以及以内存为中心的解决方案下，迈向未来》的演讲。
王克中表示，随着存储技术的指数级发展，市场对于内存容量和带宽的渴望愈发凸显。在此基础上，闪存技术得到快速发展，目前主要有NAND Flash以及NOR Flash两大类产品。
从各自特点上来看，NAND Flash晶体管串联连接密度高但数据存取时间长，且依赖控制器，适合非易失性数据存储；NOR Flash允许快速随机访问读取数据，且无需控制器，几乎没有阅读干扰，具有汽车级可靠性，适合非易失性计算代码存储。
从各自发展前景来看，NAND Flash、NOR Flash均适用于异构集成电路芯片，功能性3D NAND适用于计算存储，而功能性3D NOR在以内存为中心的计算中具有前景。
王克中总结道：一、闪存是数据和计算代码存储的主要引擎，目前仍有很大的提高空间；
二、以内存为中心的计算正在出现，以补充以进程为中心的计算；
三、数字近内存计算( near- )主导了以内存为中心的计算，其统治力在新颖的系统设计、CMOS的持续微缩以及异构IC集成的涌现下，不断加强；
四、功能性闪存支持下的内存计算在快速和低功耗应用方面具有巨大潜力，实用的解决方案正在出现。（校对/乐川）
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